什么是交流電的相位，初相角和相位差

時間：2020-01-05

作者：武漢翔雷電子有限公司

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功率半導體器件性能
焦點一：功率半導體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“**級結”(Super-Junction)結構，故又稱**結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態電阻幾乎降低了一個數量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發展前途的高頻功率半導體器件。 IGBT剛出現時，電壓、電流額定值只有600V、2**。很長一段時間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經過長時間
可控硅調光的優勢
3.2 可控硅調光的優勢可控硅調光雖然有那么多的缺點和問題，但是，它卻有著一定的的優勢，那就是它已經和白熾燈鹵素燈結成了聯盟，占據了很大的調光市場。如果LED想要取代可控硅調光的白熾燈和鹵素燈燈具的位置，就也要和可控硅調光兼容。具體來說，在一些已經安裝了可控硅調光的白熾燈或鹵素燈的地方，墻上已經安裝了可控硅的調光開關和旋鈕，墻壁里也已經安裝了通向燈具的兩根連接線。要更換墻上的可控硅開關和要增加
開關電源小型化的具體辦法
焦點二：開關電源功率密度提高開關電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是**電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備(如移動電話，數字相機等)尤為重要。使開關電源小型化的具體辦法有：一是高頻化。為了實現電源高功率密度，**提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變
調壓器的基本原理與結構
調壓器的基本原理與結構???????????????????????????????&n