詞條
詞條說(shuō)明
焦點(diǎn)一:功率半導(dǎo)體器件性能 1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“**級(jí)結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn),是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時(shí),電壓、電流額定值只有600V、2**。很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間
諧振式開(kāi)關(guān)有望成為開(kāi)關(guān)電源高頻化的一種主要方式
按TRC控制原理,有三種方式: 一、脈沖寬度調(diào)制(Pul*idthModulation,縮寫(xiě)為PWM) 開(kāi)關(guān)周期恒定,通過(guò)改變脈沖寬度來(lái)改變占空比的方式。? 二、脈沖頻率調(diào)制(PulseFrequencyModulation,縮寫(xiě)為PFM) 導(dǎo)通脈沖寬度恒定,通過(guò)改變開(kāi)關(guān)工作頻率來(lái)改變占空比的方式。 三、混合調(diào)制 導(dǎo)通脈沖寬度和開(kāi)關(guān)工作頻率均不固定,彼此都能改變的方式,它是以上二種方
?開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展方向 開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高**、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。由于開(kāi)關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化,因此國(guó)外各大開(kāi)關(guān)電源制造商都致力于同步開(kāi)發(fā)新型高智能化的元器件,特別是改善二次整流器件的損耗,并在功率鐵氧體(MnZn)材料上加大科技**,以提高在高頻率和較大磁通密度(Bs)下獲得高的磁性能,而電容器的小型化也是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。 高頻化使開(kāi)關(guān)電源小型化,并
? ? 1)該系列產(chǎn)品補(bǔ)償調(diào)節(jié)有統(tǒng)調(diào)與分調(diào)兩種形式。若需要集中穩(wěn)壓而且功率較大的,**選用分調(diào)式的,因?yàn)榉终{(diào)式穩(wěn)壓器是A、B、C相分相采樣,分相調(diào)節(jié),這樣能**各相電壓的穩(wěn)壓精度;而統(tǒng)調(diào)式因?yàn)閮H取一相采樣而集中統(tǒng)調(diào),因此無(wú)論如何也**不了其他二相的穩(wěn)壓精度。? ??? 2)不僅要求穩(wěn)壓器對(duì)當(dāng)?shù)仉娋W(wǎng)的適應(yīng)性,如:穩(wěn)壓范圍、抗干擾能力以及對(duì)非
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