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電路設計是傳感器性能是否優(yōu)越的關鍵因素,由于傳感器輸出端都是很微小的信號,如果因為噪聲導致有用的信號被淹沒,那就得不償失了,所以加強傳感器電路的抗干擾設計尤為重要。在這之前,我們**了解傳感器電路噪聲的來源,以便找出較好的方法來降低噪聲。總的來說,傳感器電路噪聲主要有一下七種: 低頻噪聲 低頻噪聲主要是由于內部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻,其碳質材料內部存在許多微小顆粒,顆粒之間是不連續(xù)
Fluence(Pro)降噪技術 目前支持降噪的手機的確不少,其主要是因為多數(shù)手機都采用了高通處理器,而高通旗下的多款芯片都集成了Fluence(Pro)降噪技術,這些芯片已經(jīng)被不少**旗艦機所采用,同時也在逐漸進入低端機領域。所謂Fluence Pro降噪技術,是通過使用三個麥克風,實現(xiàn)定向噪音消除。通過選擇音頻來源的所在區(qū)域,將能夠把所選區(qū)域內的聲音都記錄下來,而在這個所選擇區(qū)域之外的所有聲音
硅麥靈敏度是指硅麥在一定強度的聲音作用下輸出電信號的大小。靈敏度高,表示硅麥的聲一電轉換**,對微弱的聲音信號反應靈敏。技術上常用在0.1pa[μBar(微巴)]聲壓作用下硅麥能輸出多高的電壓來表示靈敏度。如某硅麥的靈敏度為1mV/μBar,即表示該硅麥在1μBar聲壓作用下輸出的信號電壓為1mV。習慣上也常用DB來表示硅麥的靈敏度。一般靈敏度有-48dB~-66dB(國內標準);**標準的-3
多數(shù)企業(yè)所開發(fā)的MEMS微麥克風主要分為兩種形態(tài):**種是利用**的MEMS代工廠制造出MEMS IC,再加上一個ASIC放大器,將MEMS IC及ASIC IC用SIP封裝方式封裝成MEMS麥克風芯片。這一部分在IC封裝過程中**保護振膜不被破壞,其封裝成本相對較高;另一種是先利用CMOS晶圓廠制造出ASIC部分,再利用后工藝來形成MEMS的結構部分。其MEMS工藝技術目前似乎還無法在標準的CM
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