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MJL4302A測試記錄 測試目的:測試MJL4302A的合格率 測試項目: 1.測試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 2.測試正向飽和壓降 測試工具: 20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測試具體方法: 1.測試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測試三極管MJL4302A的Vceo,具體連線圖如下(下文的20K
艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源” ? 應(yīng)用案例 A:LD泵浦的高頻電光調(diào)Q激光器 B:連續(xù)燈泵固體激光器(代替聲光調(diào)Q) C:快速光開關(guān) D:激光調(diào)Q實驗教學(xué)儀器 ? 圖片簡要說明
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
公司名: 長春艾克思科技有限責(zé)任公司
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