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為什么可控硅容易擊穿? 很多企業都在使用可控硅,可是有些企業的可控硅特別容易燒壞呢?下面就由我為大家一一介紹可控硅被擊穿的各種原因: 1、過壓擊穿: 過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一,可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的,即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的,因此實際應用電路中,在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路,以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控硅擊穿,請檢查一
????? 反向恢復時間、 ????? 反向恢復時間(tr)的定義:電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為較大反向恢復電流。Irr為反向恢復電流,通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時,正
????? 雙向可控硅-伏安特性 ????? 單向可控硅 ????(1)反向特性 ????? 當控制較開路,陽極加上反向電壓時,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高
可控硅元件—可控硅元件的結構 l?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。 l?在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀
公司名: 武漢武整機電有限公司
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