AM07512041UM-2H
- 時間：2019-09-11作者：深圳市國宇航芯科技有限公司瀏覽：186
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詞條
詞條說明
Qorvo's T1G4020036-FS is a 2 x 200 W (P3dB) wideband input pre-matched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 3.5 GHz and a 50V supply rail. The device is constructed with Qorvo's proven T
The HMC8500PM5E is a GaN Power Amplifier that operates from 0.01 to 2.8 GHz. It provides 10 Watts (40 dBm) of power with a gain of 15 dB and 55% power added efficiency (PAE). The HMC8500PM5E is availa
The HMC311SC70 from Analog Devices is a RF Amplifier with Frequency DC to 8 GHz, Gain 15 dB, Noise Figure 5 dB, P1dB 15.5 dBm, P1dB 0.035 W. Tags: Surface Mount, Gain Block, Driver Amplifier, Power Am
QPD1022DC - 12 GHz, 10 Watt, 32 V GaN RF TransistorKey FeaturesFrequency Range: DC - 12 GHzOutput Power (P3dB): 11.0 W at 2 GHzLinear Gain: 24.0 dB typical at 2 GHzTypical PAE3dB: 68.8 % at 2 GHzOpera
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