晶閘管工作原理

時間：2020-06-27作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：830

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  詞條說明

• 晶閘管工作原理

  1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統

• 【二極管模塊】二極管結構組成

  二極管結構組成二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。??由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。?[4]&nbs

• SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設計特點？

  MiniSKiiP產品的設計特點是在負載和門較端子中使用易于裝配且便于維護的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設備、焊接過程費時的傳統焊接模塊，MiniSKiiP組裝*任何特殊工具，僅使用一到兩個螺絲連接，一步便可組裝好印刷電路板（PCB）、功率模塊和散熱片。圖1：MiniSKiiP裝配示意圖圖2：MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機驅動應用的所有拓撲，如CIB(變流器-逆變器-

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構

  IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有