工程產(chǎn)品冶金涂層氮氣等離子表面處理方法

時間：2023-03-20作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：99

深圳子柒科技有限公司專注于等離子表面處理機(jī),全自動點膠機(jī),等離子清洗機(jī)等

• 詞條

  詞條說明

• 等離子體CMOS工藝中應(yīng)用于集成電路制造中WAT方法研究

  WAT(Wafer Accept Test)即硅圓片接收測試，就是在半導(dǎo)體硅片完成所有的制程工藝后，對硅圓片上的各種測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性測試，它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的一種手段，是產(chǎn)品入庫前進(jìn)行的一道質(zhì)量檢驗。? ? ? ??伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體工藝已廣泛應(yīng)用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會引入等離子體損

• plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究

  二氧化硅薄膜是一種性能優(yōu)良的介質(zhì)材料，它具有介電性能穩(wěn)定，介質(zhì)損耗小，耐潮性好，溫度系數(shù)好等優(yōu)點，具有較其穩(wěn)定的化學(xué)性和電絕緣性。因此，二氧化硅在集成電路工藝中的應(yīng)用很廣泛。? ? ? ? 正是由于二氧化硅薄膜在集成電路工藝中應(yīng)用的廣泛性，所以需要制備具有不同特性的二氧化硅薄膜，這就意味著要不斷研發(fā)出各種新型的薄膜沉積技術(shù)。近年來，常壓plasma等離子處理

• 電漿清洗機(jī)氫去除SiC表面污染物C和O

  SiC該材料是三代半導(dǎo)體材質(zhì)，具有高臨界擊穿電場、高導(dǎo)熱性、高載流子飽和漂移速度等特點。它是**半導(dǎo)體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導(dǎo)體器件低損耗的優(yōu)良性能，是**半導(dǎo)體功率器件的*。? ? ? ??但經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點，使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結(jié)

• 等離子體噴涂設(shè)備等離子表面處理PET塑料噴涂的優(yōu)勢

  ?PET塑料噴涂前等離子表面處理設(shè)備在數(shù)碼行業(yè)中主要為粘接、涂裝、濺鍍等工藝提供前處理。PET塑料等離子體噴涂設(shè)備處理在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用多的對象是手機(jī)外殼、手機(jī)按鍵、筆記本電腦外殼、筆記本鍵盤、塑膠產(chǎn)品等。廣泛地應(yīng)用原材料有聚乙烯，聚丙烯，聚，聚酯，聚甲醛，聚四氟乙烯，，尼龍，（硅）橡膠，**玻璃，ABS等塑料的印刷，涂覆和粘接等工藝的表面預(yù)處理。? ? ?