詞條
詞條說明
聚焦離子束顯微鏡科普 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
手動(dòng)探針測(cè)試 2020年比較艱難的開始了,好事多磨,相信經(jīng)歷過新型冠狀病毒的洗禮后,我國(guó)的經(jīng)濟(jì)會(huì)有爆發(fā)式的增長(zhǎng)。開年伊始就收到很多朋友對(duì)手動(dòng)探針臺(tái)使用問題的咨詢,在此收集整理供手動(dòng)探針臺(tái)相關(guān)信息供大家參考。因經(jīng)驗(yàn)有限,有說的不合適的地方,望大家指正。 一:手動(dòng)探針臺(tái)用途: 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測(cè)試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā),旨在確保質(zhì)量及可
一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH,甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù),是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是:給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過,同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí),對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè),當(dāng)激光掃到某個(gè)位置,電流發(fā)生較大變化,設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記,也就是說這個(gè)位置即為
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機(jī): 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
手 機(jī): 13488683602
電 話: 01082825511-869
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
¥999.00
高價(jià)實(shí)驗(yàn)室儀器回收、生物儀器回收
¥99999.00