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IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高
二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起
保險絲是較簡單的保護裝置之一。在農(nóng)村,配電變壓器的高低壓側(cè)設(shè)置熔斷器作為短路保護,防止短路電流對變壓器的破壞。此外,各種動力照明裝置常采用熔斷器作為短路故障或連續(xù)過載保護裝置。當電流**過較**,熔斷器借助熔體破壞電路。它是一種過負荷和短路保護的電器,較大的特點是結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕、使用維護方便、價格低廉、可靠性高,具有很大的實用**和經(jīng)濟意義。保險絲是一種簡單有效的保護用具,在電路中主要起短
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點,可以達到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動對
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