空心限流電抗器

時間：2020-12-28作者：旦佛（上海）電氣有限公司瀏覽：170

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  詞條說明

• 無功補償控制器，低壓無功補償控制器怎么設(shè)置

  1、設(shè)置目標功率因數(shù)一般0.95左右。2、設(shè)置投入時限一般15S左右。3、設(shè)置互感器變比,這個要看你進線柜互感器變比設(shè)置。4、設(shè)置過電壓值440V。5、設(shè)置單個電容器容量，（這個有的控制器沒有）有的話就按電容容量設(shè)置。無功功率補償裝置在電子供電系統(tǒng)中所承擔的作用是提高電網(wǎng)的功率因數(shù)，降低供電變壓器及輸送線路的損耗，提高供電效率，改善供電環(huán)境。所以無功功率補償裝置在電力供電系統(tǒng)中處在一個不可缺少的非

• 變頻器電抗器

  在變頻器的輸入側(cè)可加以下選件： 1）InputReactor進線電抗器，輸入電抗器可以抑制諧波電流，提高功率因數(shù)以及削弱輸入電路中的浪涌電壓、電流對變頻器的沖擊，削弱電源電壓不平衡的影響，一般情況下，都必須加進線電抗器。 2）輸入EMC濾波器，EMC濾波器的作用是為了減少和抑制變頻器所產(chǎn)生的電磁干擾。EMC濾波器有兩種，A級和B級濾波器。EMCA級濾波器用在第二類場合即工業(yè)場合，滿足E**0011

• 可控硅投切開關(guān)，什么是可控硅投切開關(guān)

  可控硅開關(guān)可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅，它是一種大功率開關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和

• 簡析變頻器使用須知

  ? ? ?變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。變頻器是由主回路和控制回路兩大部分組成的。主回路由整流器、濾波器和逆變器三個主要部分組成。控制回路則由單片機、驅(qū)動電路和光電隔離電路組成。? ? ? 變頻技術(shù)是應交流電機無級調(diào)速的需要而誕生的。隨著電力電子器件【從SCR(晶閘管)發(fā)展到今天的IGBT(絕