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詞條說明
在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內,逆變側關短時間采用KK-30微秒以內這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進口晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管,又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個PN一種由結構組成的大功率半導體設備。在性能方面,晶閘管不僅具有單向導電性,而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態(tài):導電和關閉。晶閘管有許多優(yōu)點,如:小功率控制大功率,功率放大倍數高達數十萬倍;反應快,微秒內開關;無接觸操作,無火花,無噪音;效率高,成本低。因此,特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應用于整流電
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電
**名稱:平板式可控硅的制作方法技術領域:本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術:可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點,發(fā)展迅猛。在世紀應用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點,其加工
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