KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

時間：2024-01-12作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：59

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• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用

  上海伯東代理美國?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發系統, PLD 脈沖激光系統等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！KRi 離子源預清潔可以實現去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留去除化學吸附污

• 美國 HVA 真空閥門選型

  上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列

• 分子泵組應用于低溫真空探針臺

  Pfeiffer?分子泵組應用于低溫真空探針臺真空探針臺一般用于復雜, 高速精密器件進行表面觀測以及各種性能測試的儀器, 通過測試可以產品的質量和性并縮減研發時間和器件制造工藝的成本. 探針臺主要應用于半導體行業, 光電行業, 集成電路以及封裝的測試為什么需要真空環境?1. 真空探針臺通過搭配分子泵組, 配合真空吸附卡盤及真空吸附探針座的使用, 通過空氣壓縮, 固定樣品及探針座.2. 由