關于可控硅
- 時間：2015-05-19作者：深圳高科特半導體有限公司瀏覽：143
深圳高科特半導體有限公司專注于可控硅,MOS管,二三極管等
詞條
詞條說明
類別 型號 IC 1302 IC 1117S15 IC 1117S33 IC 1117S50 IC 1117SADJ IC BT2323 IC IC5168 IC K3055 IC L6008L8 IGBT 15N120 IGBT 20N120 IGBT 25N120 IGBT DG15N120 場效應管 10**0 場效應管 2**0 場效應管 4**0 場效應管 5**0 場效應管 6**0
鑒別可控硅三個較的辦法很簡單，依據P-N結的原理，只要用萬用表丈量一下三個較之間的電阻值就可以。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，并且方向相反，因而陽極和操控較正反向都不通）。 操控較與陰極之間是一個P-N結，因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規模，反向電阻比正向電阻要大。可是操控較二極管特性是不太抱負的，反向
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