毫歐電阻的溫度影響精度測試分析

時間：2015-08-14

作者：長春艾克思科技有限責任公司

詞條
詞條說明
材料蒸發溫度控制電源
圖1 產品外觀圖一、概述 PID控制溫度的參數、適應的溫度范圍有限，50~1300℃大溫度范圍的控制，一般采用多點曲線升溫的方式，單一的PID參數容易引發高溫段或者低溫段的震蕩現象，引發系統失調，損壞電熱絲和熱電偶，經過長期的實驗調試，這里推出多參數PID控制電源，用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調節旋鈕，通過設定旋鈕位置，保證了加熱系統的安全；電源前
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。首先我們測試從某網店購買的IRF4
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首創：5kHz電光調Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！
**：5kHz電光調Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！電光調Q開關是利用晶體的電光效應制成的Q開關。電光調Q開關的開關速度快、器件的效率高等優點！但是正是由于較高的開關速度，在調Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應，這一效應增大了調Q開關的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應：調Q驅動器通過導線和晶體連接，連接導線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈