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詞條說明
硅片切割難點:1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現形式:包括整條線痕和半截線痕,內凹,線痕發亮,較其它線痕較加窄細。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題,造成硅片上出現密集線痕區域。
亞克力切割打孔:1、手提鉆打孔(氣動,電動都可以);便攜方便,沒有太大的環境限制。但也有不少缺點:手提鉆鉆不了太大的孔,鉆不了異形的孔,然后鉆出來的孔不標準,然后手提鉆鉆孔也需要一定技巧,否則容易孔蹦口,或者亞克力板破掉。2、使用臺鉆鉆孔;這個方法鉆出來的孔相對標準。缺點在,同樣鉆不了太大的孔,鉆不了異形的孔,然后對孔的位置有一定局限,這需要根據臺鉆的臂長,當孔在板的位置大于臂長,就鉆不了,對環境
介紹半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括**物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌
三棱鏡對光線有色散現象,將由此可見單色光分為七色彩虹起復色光,折光率越大,既阿貝指數(色散系數)越高,散射越顯著,折光率為1.9的光電材料,例如ZF72,可以顯著的把led白光燈散射成七色光。電子光學斜角三棱鏡,運用雙光透鏡反射基本原理,K9原材料是運用較普遍的光電材料,其特性平穩,其透過率在360-1400nm中間都能**過99%以上,(只考慮到消化吸收,不考慮到表面反射)表層反射率在4%,上下,
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
聯系人: 張經理
電 話: 010-83687269
手 機: 18920259803
微 信: 18920259803
地 址: 北京豐臺花鄉北京市豐臺區南三環玉泉營橋西春嵐大廈1號樓2單元102室
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