雙工位臥式真空爐

時間：2014-10-22作者：青島福潤德微電子設備有限公司瀏覽：78

青島福潤德微電子設備有限公司專注于鏈式爐排,全自動擴散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

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  詞條說明

• LPCVD設備

  LPCVD設備維修及應用 低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題，提

• （單管程序氧化爐）

  ?單管氧化爐技術方案 ? ????????????? （單管程序氧化爐） ? ?????????????&n

• 立式真空爐

  空爐（vacuum furnace）是真空環(huán)境中進行加熱的設備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達133×(10-2～10-4)h。爐內加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應加熱。較高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構造 3原理 4功能 5

• 鏈帶式焊接爐

  鏈帶式焊接爐技術方案 鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續(xù)工作的隧道式結構熱處理爐。 一、主要技術指標 1、設計溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設備總長度：約10600mm；進出口臺面各為：800mm。 6、加熱區(qū)長度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區(qū)長