（單管程序氧化爐）

時間：2014-10-22

作者：青島福潤德微電子設備有限公司

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詞條說明
led專用爐
■ LED**爐特點?? ◆ 關鍵件全部采用進口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報警、**溫報警、極限**溫報警等多種安全保護功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達可
鏈帶式焊接爐
鏈帶式焊接爐技術方案鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續工作的隧道式結構熱處理爐。一、主要技術指標 1、設計溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設備總長度：約10600mm；進出口臺面各為：800mm。 6、加熱區長度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區長
等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD)
? 等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD) PECVD（等離子增強化學氣相淀積）設備是一種用于在基片上生成高質量SiNx和SiO2薄膜的**設備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調)，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。產品特點： 1、膜質量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而
LPCVD設備
LPCVD設備維修及應用低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規模集成電路(LSI)和**大規模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題，提